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晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件...

IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨...

觸發(fā)電流（I_gt）和觸發(fā)電壓（V_gt）：用于觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通的電流和電壓。關(guān)斷時(shí)間（t_q）：晶閘管從完全導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。導(dǎo)通壓降（V_f）：晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時(shí)過(guò)載電流。動(dòng)態(tài)dv...

其特點(diǎn)是：超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，原理不變；滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷，開(kāi)關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開(kāi)通時(shí)電容釋放的能量加大開(kāi)通損耗。在此對(duì)移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡(jiǎn)要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通?？紤]了散熱問(wèn)題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。...

fsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門(mén)極電壓差時(shí)的 IGBT門(mén)極總電荷RG extern : IGBT 外部的門(mén)極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門(mén)極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門(mén)極電荷參數(shù)...

這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點(diǎn)以上（細(xì)虛線以上）的小脈動(dòng)波是整流后未經(jīng)濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個(gè)整流二極管（和一個(gè)電容器）封裝在一起，組成一...

整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波（Y或△）橋式、三相曲折式（Zo形）、六相Y形（中點(diǎn)接線）、六相叉形（又曲折形）、六相Y形并聯(lián)橋式（帶平衡電抗器）、六相△Y形串聯(lián)橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相（十二、二十四...

另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類(lèi)似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場(chǎng)截止”(FS)型技術(shù)，這使得“成本—性能”...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是...

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開(kāi)關(guān)器件通斷快，開(kāi)關(guān)損耗?。环粗畡t慢，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和...

用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極和控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)...

脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復(fù)雜。按整流變壓器的類(lèi)型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動(dòng)裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動(dòng)機(jī)供電。這種拖動(dòng)裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動(dòng)機(jī)供電，所以又稱。電動(dòng)機(jī)的電樞和磁場(chǎng)均可由晶閘管整流器供電，因?yàn)樵撜髌鞯闹绷麟妷嚎赏ㄟ^(guò)觸發(fā)延遲角均勻調(diào)節(jié)，電...

晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它的主要功能是控制電流的開(kāi)關(guān)，能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N結(jié)構(gòu)）組成，具有三個(gè)PN結(jié)。晶閘管的工作原理是，當(dāng)施加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)到其門(mén)極...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都...

散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通常考慮了散熱問(wèn)題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對(duì)電網(wǎng)的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設(shè)備的脈波數(shù)，這可以通過(guò)移相的方法來(lái)解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個(gè)相位移。整流變壓器***用于各類(lèi)行業(yè)之中，主要分為照明、機(jī)床...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，它的有效電抗可以連續(xù)變化?；镜膯蜗郥CR由反并聯(lián)的一對(duì)晶閘管閥T1、T2與...

阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值，...

· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門(mén)極電容量必須能夠提供所需的門(mén)極電荷以對(duì)IGBT 的門(mén)極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側(cè)繞組為三角形連接，二次側(cè)繞組為星形連接。六個(gè)整流二極管按其導(dǎo)通順序排列，VD1、VD3、VD5三個(gè)二極管構(gòu)成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個(gè)二極管構(gòu)成共陽(yáng)極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負(fù)載...