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散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通?？紤]了散熱問(wèn)題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對(duì)電網(wǎng)的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設(shè)備的脈波數(shù)，這可以通過(guò)移相的方法來(lái)解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個(gè)相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機(jī)床...

· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門(mén)極電容量必須能夠提供所需的門(mén)極電荷以對(duì)IGBT 的門(mén)極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無(wú)誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開(kāi)箱檢查(1) 變壓器到貨后開(kāi)箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車(chē)前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

這個(gè)直流方波電壓經(jīng)過(guò) Lf和 Cf組成的輸出濾波器后成為一個(gè)平直的直流電壓，其電壓值為VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是導(dǎo)通時(shí)間，Ts 是開(kāi)關(guān)周期。通過(guò)調(diào)節(jié)占空比D來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓 VO。 這種基本的全橋 PWM 開(kāi)關(guān)變換...

IGBT電源模塊通過(guò)集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導(dǎo)電機(jī)制，實(shí)現(xiàn)低損耗高頻開(kāi)關(guān)功能。其柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)施加正向電壓時(shí)形成導(dǎo)電溝道，集電極-發(fā)射極間呈現(xiàn)低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉(zhuǎn)換場(chǎng)景：1.工業(yè)控制：驅(qū)動(dòng)交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)，提升變...

當(dāng)控制極G接收到觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，一旦晶閘管導(dǎo)通，即使控制極信號(hào)消失，只要陽(yáng)極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陽(yáng)極電流降至維持電流以下或陽(yáng)極出現(xiàn)反向偏置時(shí)，才會(huì)重新回到截止?fàn)顟B(tài)。二、應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊...

但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的，如圖2所示。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網(wǎng)輸入電壓幅值相位相同，直接供...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，它的有效電抗可以連續(xù)變化?；镜膯蜗郥CR由反并聯(lián)的一對(duì)晶閘管閥T1、T2與...

外加電壓使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí)，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子，能通過(guò)大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過(guò)很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨(dú)特的價(jià)值和優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強(qiáng)度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對(duì)稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過(guò)熱、過(guò)流、缺相保護(hù)作用。（5）輸入0～10V直流控制信號(hào)或0～5V直流控制信號(hào)、4～20mA...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的...

在變壓器的設(shè)計(jì)中，銅和鐵的用量可以均衡考慮。因?yàn)橐坏┳儔浩鞯娜萘看_定了，電流就確定了，導(dǎo)線的粗細(xì)也就確定了，增大匝數(shù)W，磁通Φ就可以小一些，鐵芯的截面積就可以小一些，但是要把這些匝數(shù)繞進(jìn)去，鐵芯的窗口要大一些；相反，減小匝數(shù)W，磁通Φ就要大一些，鐵芯的截面積要...

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)...

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷...

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門(mén)極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的，尾流特性與VCE、IC和 TC有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET...

表1 IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且?..

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（...

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時(shí)采用選進(jìn)的3～6級(jí)step-lap core stacking步進(jìn)多級(jí)疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無(wú)氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

（4）過(guò)載能力強(qiáng)：產(chǎn)品具有較強(qiáng)的過(guò)負(fù)載能力和過(guò)電壓能力，可在額定負(fù)載情況下長(zhǎng)期安全運(yùn)行，可在110%過(guò)電壓情況下滿負(fù)載長(zhǎng)期安全運(yùn)行（環(huán)境溫度40℃）；變壓器與電機(jī)相聯(lián)的端子上能承受1.5倍額定電流，歷時(shí)5S。產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造充分考慮負(fù)載特性，從溫升、絕緣性能及附...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...