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安徽GJB151BEMI分析整改方式

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-18

遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問(wèn)題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物,以阻擋干擾的傳播,可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。電源DC-DC晶片的VIN接腳,合理配置電容,減少輸入電源的EMI;在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠,這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取,而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取,降低了雜訊干擾。另外,電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能,或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?;蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾,就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。有效降低電路EMI的技巧:當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí),一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。安徽GJB151BEMI分析整改方式

我們來(lái)分析一下EMI的產(chǎn)生,忽略自然干擾的影響,在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號(hào)的回流這兩方面。對(duì)于電磁干擾的分析,可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮,如果器件向外泄露的能量越少,我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō),產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道,數(shù)字信號(hào)在開(kāi)關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的,而是融合了很多高次諧波分量,這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定,信號(hào)上升和下降速率越快,即開(kāi)關(guān)頻率越高,則產(chǎn)生的能量越多。所以,如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變,將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射,這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。鄭州充電樁EMI分析整改頻譜儀電源DC-DC晶片的VIN接腳,合理配置電容,減少輸入電源的EMI。

20-30MHZ,(整改建議)1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3、在變壓器外面包銅箔;變壓器里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上,開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小,一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射的50MHz-110MHz,190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容(容量范圍1000PF-4700PF/1KV),對(duì)輻射40MHz-90MHz,110MHz-170MHz均有改善。

20-30MHZ,(整改建議)1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3、在變壓器外面包銅箔;變壓器里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅?焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上,開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小,一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射的50MHz-110MHz,190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容(容量范圍470PF-4700PF),對(duì)輻射40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容(容量范圍1000PF-4700PF/1KV),對(duì)輻射40MHz-90MHz,110MHz-170MHz均有改善。訊號(hào)線下方的地要完整,要有完整的參考面。

電源DC-DC晶片的VIN接腳,合理配置電容,減少輸入電源的EMI;在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠,這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取,而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取,降低了雜訊干擾。另外,電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能,或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?;蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾,就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家,尤其在歐洲,對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理,電容要靠近接腳擺放。江蘇EMI分析整改系統(tǒng)

在信號(hào)處理中,濾波器的使用是常見(jiàn)的信號(hào)處理方式之一。安徽GJB151BEMI分析整改方式

EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分,對(duì)于EMI解決方案,相關(guān)理論書(shū)籍也很多,作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師,即使你看了很多EMI處理方面的書(shū)籍,但碰到處理EMI問(wèn)題,還是無(wú)從下手,或是不能對(duì)癥下藥,在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論,針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié),也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法,1MHZ以內(nèi),以差模干擾為主。1、增大X電容量;2、添加差模電感;率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ,差模共?;旌?,采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,。安徽GJB151BEMI分析整改方式

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