近場成像實驗與常規(guī)的近場散射實驗相比,其明顯差別就在于成像實驗要進行掃頻測量,這是理論所要求的。這樣,測量系統(tǒng)就必須具備寬頻帶特性。發(fā)射、接收系統(tǒng)儀器的系統(tǒng)誤差可以通過儀器自行校準進行消除,寬帶發(fā)射、接收探頭(天線)由于口徑尺寸較大以及與目標之間的電磁耦合,所以對其發(fā)射、接收的電磁場必須進行修正,修正的方法是在它們發(fā)射、接收的電磁場中乘以復系數(shù),系數(shù)的量值由理論值與測量值的比值來定。在此修正理論下,對金屬長方體、圓柱體以及四尾翼導彈模型進行了實驗測量,其成像結果是令人滿意的。在溫度和輻射場的影響下發(fā)生相互作用,并與地下水發(fā)生作用。天津多媒體近場輻射掃描儀
相比而言,要在第三方測試箱中測試新設計,就要求工程師前往場外測試場所,并會耗費大半天的時間。使用測試箱往往需要提前幾周安排,這會給開發(fā)過程帶來極大的延誤。極近場掃描解決方案不會替代在測試箱中測試設計的需求。不過,這種儀器可以在簡便的桌面系統(tǒng)中實現(xiàn)快速的前后一致性測試功能。與在測試箱中進行的遠場測量相比,極近場EMI特性可以提供實時反饋。此外,這些測量結果與在測試箱中測得的遠場測量結果具有很高的相關性。因此,諸如EMxpert等極近場儀器可以減少在測試箱中進行類似測試的數(shù)量。總之,這可以幫助設計團隊加快測試進程,更快地得到測試箱測試的一致性測試結果。武漢近場輻射系統(tǒng)價格近的距離分界點是可能時,近場分量和遠場成分的強度大致相同的時間的距離。
近場存在于距電磁輻射源(例如發(fā)射天線)一個波長范圍內的電磁場,一個聲源(如揚聲器)附近的聲輻射場。在衍射光學中,近場定義如下:當入射光波是平面波,經過透鏡會聚后。以焦斑為中心,落在其前后半個瑞利長度范圍外的光場為近場,否則稱為遠場。一般來說我們把菲涅耳衍射稱為近場衍射。指放射性廢物處置庫周圍由于處置庫的存在而產生較大變化的區(qū)域,包括所有的工程屏障(廢物體、廢物罐、外包裝和回填材料)和庫周圍延伸幾米或幾十米的圍巖。
近區(qū)場通常具有如下特點:近區(qū)場內,電場強度與磁場強度的大小沒有確定的比例關系。即:E377H。一般情況下,對于電壓高電流小的場源(如發(fā)射天線、饋線等),電場要比磁場強得多,對于電壓低電流大的場源(如某些感應加熱設備的模具),磁場要比電場大得多。近區(qū)場的電磁場強度比遠區(qū)場大得多。從這個角度上說,電磁防護的重點應該在近區(qū)場。近區(qū)場的電磁場強度隨距離的變化比較快,在此空間內的不均勻度較大。遠區(qū)場的主要特點如下:在遠區(qū)場中,所有的電磁能量基本上均以電磁波形式輻射傳播,這種場輻射強度的衰減要比感應場慢得多。在遠區(qū)場,電場強度與磁場強度有如下關系:在國際單位制中,E=377H,電場與磁場的運行方向互相垂直,并都垂直于電磁波的傳播方向。遠區(qū)場為弱場,其電磁場強度均較小場的強度和天線的距離成反比(1/ r3)。
低副瓣或很低副瓣天線的測量,天線方向圖副瓣電平在-28~-35dB之間的天線稱為低副瓣天線;副瓣電平小于-40dB的天線稱為很低副瓣天線。對它們的測量要用到“零探頭”技術,據(jù)文獻報導,副瓣電平在-40dB以上時,測量精度為±3dB,副瓣電平為-55dB時,測量精度為±5dB。天線口徑場分布診斷是通過測量天線近區(qū)場的分布逆推出天線口徑場分布,從而判斷出口徑場畸變處所對應的輻射單元,這就是天線口徑分布診斷的基本原理。該方法對具有一維圓對稱天線口徑分布的分析是可靠的,尤其對相控陣天線的分析與測量已有了充分的可信度。近區(qū)場的電磁場強度比遠區(qū)場大得多。天津多媒體近場輻射掃描儀
對于通常的天線,輻射近場區(qū)此區(qū)域也稱為菲涅爾區(qū)。天津多媒體近場輻射掃描儀
近場探頭是用于配合頻譜分析儀查找干擾源的設備。在認證機構中,使用經過各類校準的天線進行輻射泄露測試,都是進行的遠場測量。標準的遠場輻射泄漏測試,可以準確定量的告訴我們被測件是否符合相應的EMI標準。但是遠場測試無法告訴工程師,嚴重的輻射問題到底是來自于殼體的縫隙,還是來自連接的電纜,或USB,LAN之類的通信接口。在這種情況下,我們可以通過近場測試的方法來定位輻射的真正來源。電磁場是由電場和磁場構成。在近場,電場和磁場共同存在,其強度不構成固定關系。以電場為主還是磁場為主,主要是由發(fā)射源的類型決定的。簡而言之,在高電壓,低電流的區(qū)域,電場大于磁場。高電流,低電壓的區(qū)域,磁場大于電場。同時在主要的EMI測試頻段,磁場隨著距離的變化要快于電場。天津多媒體近場輻射掃描儀