20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。深圳充電樁EMI分析整改

EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾；EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE（conductionemission）和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI（ElectromagneticInterference）直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。EMC電磁能量的檢測(cè)、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場(chǎng)磁場(chǎng)對(duì)人體的影響、電場(chǎng)強(qiáng)度的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。成都儀器儀表EMI分析整改走線布線敏感訊號(hào)用地包住，這樣包地即提供了訊號(hào)短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊號(hào)的干擾。

通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過(guò)下面的公式計(jì)算：F=1/πTr，F(xiàn)為開(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號(hào)的上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns。比如，對(duì)于上升時(shí)間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時(shí)間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會(huì)在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號(hào)的上升沿，將會(huì)在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號(hào)開(kāi)關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過(guò)降低信號(hào)電壓來(lái)達(dá)到同樣的目的，因?yàn)樵谙嗤臅r(shí)間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢(shì)。

對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來(lái)大家分享，先不管理論對(duì)不對(duì)，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對(duì)輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對(duì)輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對(duì)二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對(duì)輻射30MHz-60MHz，有改善。不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。

整改方案：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。具體情況具體分析，其實(shí) EMI 就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以。成都儀器儀表EMI分析整改走線布線

說(shuō)到EMC 的整改問(wèn)題，相信接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。深圳充電樁EMI分析整改

任何信號(hào)的傳輸都存在一個(gè)閉環(huán)的回路，當(dāng)電流從驅(qū)動(dòng)端流入接收端的時(shí)候，必然會(huì)有一個(gè)回流電流通過(guò)與之相鄰的導(dǎo)體從接收端回流至驅(qū)動(dòng)端，構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路，而環(huán)路的大小卻和EMI的產(chǎn)生有著很大的關(guān)系，我們都知道，每一個(gè)環(huán)路都可以等效為一個(gè)天線，環(huán)路數(shù)量或者面積越大，引起的EMI也越強(qiáng)。我們知道，交流信號(hào)會(huì)自動(dòng)選取阻抗小的路徑返回驅(qū)動(dòng)端，但實(shí)際情況中，信號(hào)不可能始終保持的理想路徑，特別是在高密度布線的PCB板上，過(guò)孔，縫隙等都可能降低參考平面理想的特性，而是表現(xiàn)為更復(fù)雜的回流形式。深圳充電樁EMI分析整改