不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當強度為J0的入射輻射穿過厚度為為x,的材料時，出射輻射的強度可以近似表示為：J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數(shù)。就伽馬射線而言，它們主要與固體中的電子相互作用。此時主要取決于固體中的電子密度ne和一個電子的吸收截面e，所以線性吸收系數(shù)也可以表示為：==(1.9)上式中的z袋表閃爍體的有效原子序數(shù)。閃爍晶體通常要求對入射輻射有較大的吸收系數(shù)。例如，對于層析成像技術，使用吸收系數(shù)大的材料不只可以使探測器尺寸緊湊，還可以提高其空間分辨率?？臻g分辨率對于核物理和高能物理實驗中使用的探測器尤為重要。晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。河北高溫CeYAP晶體制造
康普頓閃射過程中，電子與X射線或者其他高能射線發(fā)生彈性散射，使高能射線波長變長，是吸收輻射能的主要方式之一。在康普頓效應中，單個光子與與單個自由電子或者束縛電子相碰撞，在碰撞中光子把部分能量和動量傳遞給電子，使之受到反沖 Ce:YAP閃爍晶體的性能如何？有觀點認為YAP晶體的本征紫外發(fā)光中心與反位缺陷YAl3+有關，自20世紀80年代末和90年代初以來，國內(nèi)外對摻雜鈰離子的無機閃爍體進行了大量的研究和探索，涉及的閃爍體包括從氟化合物和溴化物到氧化物和硫化物的無機閃爍體。湖南雙折射CeYAP晶體直供結果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。
比較了摻雜不同價離子對Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價離子對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學性質。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對提高晶體發(fā)光強度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價帶之間的躍遷，簡稱為中心-價帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時間快(子納秒級)，但光輸出低。
國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術的提高，中科院上海光學力學研究所已經(jīng)能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。由于過渡金屬離子d層電子能級較多，且易受晶場影響，在YAP晶體中可能存在較多吸收帶。
發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經(jīng)過發(fā)光材料時，發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產(chǎn)生二次電子，二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心，然后發(fā)光中心退激發(fā)光，樣品所發(fā)出的光經(jīng)分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長)的光，通過光電倍增管測出不同波長的發(fā)光強度，得到樣品的發(fā)光按照波長或頻率的一個分布Ce:YAP晶體生長過程詳細介紹有嗎？因此激發(fā)譜中幾個發(fā)光成分其實還可以再分解為不同子能級的發(fā)光，而且疊加后的峰形會比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達。CeYAP晶體穩(wěn)定的化學性質和良好的探測性能，在核醫(yī)學，核防護等方面有著較廣的應用前景。湖南高溫CeYAP晶體公司
CeYAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨特的物理化學性質。河北高溫CeYAP晶體制造
電子、空穴和激子的相互作用將導致局域化。許多離子晶體表現(xiàn)出一種有趣的現(xiàn)象，即價帶空穴位于正常晶格中，這種現(xiàn)象被稱為自陷。在熱化過程中，空穴達到價帶的頂部，并被限制在特定的陰離子中。對于堿金屬鹵化物晶體，這意味著一個鹵化物離子轉變成一個原子：X- X0。該鹵原子X0將在一定程度上極化環(huán)境，并且該系統(tǒng)將顯示出軸向弛豫，導致這種局部空穴被兩個相鄰的陰離子共享。這種狀態(tài)被稱為X2分子或Vk中心(圖1.2)。在低溫下(通常t <200 k)，Vk核是穩(wěn)定的，位于兩個陰離子上的空穴稱為自陷空穴，電離輻射后離子晶體形成自陷空穴的平均時間為10-11 s到10-12 s，這個時間比自由空穴和導帶電子的復合時間短。因此，純離子晶體中的大多數(shù)空穴很快轉化為Vk中心。 不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。河北高溫CeYAP晶體制造
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