無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對的產(chǎn)生，該過程可由以下公式(1.1)表示：A ＋ hν → A+ + e在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是無機(jī)閃爍晶體中的原子；a+是離子；e是產(chǎn)生的一次電子。在這個過程中，原子的內(nèi)層也會產(chǎn)生初級空穴。閃爍機(jī)制的第二步是電子和空穴的豫過程。一方面，對于非輻射豫或輻射豫，A離子通過內(nèi)部空穴從K層遷移到L、M和其他俄歇層而發(fā)射光子，從而發(fā)射俄電子。通常，非輻射豫的概率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于輻射豫的概率。利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線。上海進(jìn)口CeYAG晶體價格

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機(jī)閃爍晶體的一種。無機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。由無機(jī)閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉(zhuǎn)化為可顯示的信號或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測器充當(dāng)了人們認(rèn)識微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個使用無機(jī)閃爍材料的例子。天津品質(zhì)CeYAG晶體廠家直銷CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較?。▇ 0.1）造成的。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？

CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機(jī)械性能，發(fā)光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線計數(shù)、電子和X射線成像屏等領(lǐng)域。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。天津品質(zhì)CeYAG晶體廠家直銷

CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。上海進(jìn)口CeYAG晶體價格

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看，晶體中無明顯應(yīng)力，也沒有因小面生長現(xiàn)象而產(chǎn)生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。上海進(jìn)口CeYAG晶體價格

上海藍(lán)晶光電科技有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG。上海藍(lán)晶以創(chuàng)造高品質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。