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重慶電子芯片回收行情

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-03

接收關(guān)于一參考分類的信息,該參考分類是通過人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓獲得的;基于該不成熟分類和該參考分類,將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓;以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓,產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實(shí)際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端,以及另一輸入端耦合到一參考電壓,其中因應(yīng)于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在,該比較器的該另一輸入端從耦合一預(yù)設(shè)電壓改為耦合到一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅(qū)動器以及一機(jī)器學(xué)習(xí)電路。該驅(qū)動器經(jīng)配置以驅(qū)動一信號。該機(jī)器學(xué)習(xí)電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端,其中該輸入端因應(yīng)于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓,其中該機(jī)器學(xué)習(xí)電路經(jīng)配置以基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓來調(diào)整該信號的一回轉(zhuǎn)率。雖然已詳述本公開及其優(yōu)點(diǎn),然而應(yīng)理解可進(jìn)行各種變化、取代與替代而不脫離權(quán)利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如,可用不同的方法實(shí)施上述的許多工藝,并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者。上海海谷電子有限公司致力于提供回收,有想法的可以來電咨詢!重慶電子芯片回收行情

通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽,有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能,例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進(jìn)行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明具有的特點(diǎn):通過實(shí)施本發(fā)明,能夠在集成電路有機(jī)基板本體內(nèi)采用埋磁技術(shù)預(yù)制一只或多只磁環(huán),通過激光過孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)變壓器,并且電感量和耦合系數(shù)都非常高,有利于電源的功率輸出和效率。再采用SIP工藝集成Die和分離器件來多種表面處理方式以方便引線鍵合,倒裝芯片或混合類型連接,完成整體功能,如隔離電源,隔離信號傳輸?shù)入娐饭δ?。通過采用印制線及激光精確打過孔方式實(shí)現(xiàn)變壓器線圈的繞制,代替了人工繞制的困難,特別是直徑比較小的磁環(huán)變壓器,不支持機(jī)器繞制,只能人工費(fèi)時(shí)繞制。本發(fā)明克服了繞制線圈的非一致性,離散性;方便出引腳,SMT焊接機(jī)械對位和一致性;人工繞制的變壓器還得有底托,并且引腳必須有寄托,還有就是SMT焊接不能吸取(由于磁環(huán)中空)。本發(fā)明節(jié)約了成本,與純銅漆包線繞制,整體節(jié)約50%成本。本發(fā)明由于將微變壓器內(nèi)置于絕緣體內(nèi),沒有空氣爬電距離的路徑,在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高耐壓初次級要達(dá)到。附圖說明圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖。福建電子料庫存回收服務(wù)上海海谷電子有限公司為您提供回收,有需要可以聯(lián)系我司哦!

集成電路可以由多個(gè)單元定義,并且集成電路可以使用包括多個(gè)單元的信息的單元庫來設(shè)計(jì)。在下文中,單元可以是標(biāo)準(zhǔn)單元,單元庫可以是標(biāo)準(zhǔn)單元庫。在一些示例實(shí)施例中,輸入數(shù)據(jù)可以是針對集成電路的行為從抽象形式生成的數(shù)據(jù)。例如,可以使用標(biāo)準(zhǔn)單元庫在寄存器傳送級(rtl)中通過合成定義輸入數(shù)據(jù)。例如,輸入數(shù)據(jù)可以是通過對由硬件描述語言(hdl)(諸如,vhsic硬件描述語言(vhdl)或verilog)定義的集成電路進(jìn)行合成而生成的比特流和/或網(wǎng)表。在一些示例實(shí)施例中,輸入數(shù)據(jù)可以是用于對集成電路的布圖進(jìn)行定義的數(shù)據(jù)。例如,輸入數(shù)據(jù)可以包括用于對實(shí)現(xiàn)為半導(dǎo)體材料、金屬和絕緣體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行定義的幾何信息。例如,由輸入數(shù)據(jù)指示的集成電路的布圖可以具有單元以及用于將一個(gè)單元連接到其他單元的導(dǎo)線的布圖。設(shè)置包括多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(s20)。術(shù)語“標(biāo)準(zhǔn)單元”可以表示集成電路的單元,其中,在該集成電路的單元中布圖的大小滿足預(yù)設(shè)或指定的規(guī)則。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括輸入引腳和輸出引腳,并且可以處理通過輸入引腳接收的信號以通過輸出引腳輸出信號。例如,標(biāo)準(zhǔn)單元可以是諸如與(and)邏輯門、或(or)邏輯門、或非(nor)邏輯門或反相器的基本單元。

基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)獲取經(jīng)加權(quán)值36。接下來,進(jìn)入推理/分類階段314。在推理/分類階段314中,mlc42基于經(jīng)加權(quán)值36對驗(yàn)證數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。在驗(yàn)證數(shù)據(jù)的分類之后,使用者將這種分類與參考分類進(jìn)行比較,從而獲得一校正率。如果這樣的校正率滿足在操作504中在規(guī)范中獲得的所需校正率,則推理/分類階段314結(jié)束,并且進(jìn)入預(yù)測階段316。如果校正率不滿足所需的校正率,則重復(fù)上述過程。圖8的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的基于圖6的迭代流程的圖5的預(yù)測階段316。參照圖8,不執(zhí)行操作502的評估。mlc42控制src電路104而不需要人力。因此,使用mlc42來調(diào)整回轉(zhuǎn)率是相對方便的。圖9是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路42的電路圖。參考圖9,mlc42包括一測量電路60、一數(shù)據(jù)庫70和一分類器電路80。測量電路60經(jīng)配置以通過實(shí)際測量信號dout來獲取信號dout的一實(shí)際電壓vout,并提供實(shí)際電壓vout。實(shí)際電壓vout的微分決定信號dout的實(shí)際回轉(zhuǎn)率。測量電路60將多個(gè)實(shí)際電壓vout值提供給數(shù)據(jù)庫70以存儲在數(shù)據(jù)庫70。數(shù)據(jù)庫70將實(shí)際電壓vout提供給使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的顯示器上顯示實(shí)際電壓vout。分類器電路80從數(shù)據(jù)庫70獲得電壓vout。此外。上海海谷電子有限公司致力于提供回收,有想法可以來我司咨詢。

從而使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)了解,可相當(dāng)容易地利用下文公開的概念與特定實(shí)施例作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或工藝而實(shí)現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員亦應(yīng)了解,這類等效建構(gòu)無法脫離權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。附圖說明參閱實(shí)施方式與權(quán)利要求合并考量附圖時(shí),可得以更了解本公開的公開內(nèi)容,附圖中相同的元件符號是指相同的元件。圖1的示意圖說明調(diào)整信號的回轉(zhuǎn)率的比較方法。圖2的流程圖說明參考圖1所示的比較方法的迭代流程。圖3是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的具有一機(jī)器學(xué)習(xí)電路的一電路的示意圖。圖4是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)示意圖,其中該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行任務(wù)。圖5是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的通過圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行的程序的流程圖。圖6的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的基于具有圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路的電路的迭代流程。圖7的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的基于圖6的迭代流程的圖5的一訓(xùn)練階段和推斷階段。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司,有想法可以來我司咨詢!遼寧三極管回收中心

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公開的寫入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如,圖2中的204至206)處于高電阻狀態(tài)來實(shí)施,以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。如圖3a的示意圖300所示,寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列102的行301中的存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件來實(shí)施。通過將非零偏置電壓v1(例如,2v)施加至字線wl1和wl2,將第二非零偏置電壓v2(例如,6v)施加至字線wl3,將第三非零偏置電壓v3(例如,8v)施加至位線bl1和bl3,并且將第四非零偏置電壓v4(例如,4v)施加至位線bl2來實(shí)施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v1(例如,2v)和第三非零偏置電壓v3(例如,8v)之間的差異使得電流i1流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i1小于切換電流isw,使得存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而,來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起,使得為電流i1的兩倍的電流流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件。電流i1的兩倍的電流大于切換電流isw,以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件。第二存儲單元202a,2內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響,因?yàn)榉橇闫秒妷簐1(例如。重慶電子芯片回收行情

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