字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖3b中示出的寫入操作在步驟(圖3a所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的一行中的一個或多個存儲單元，并且在隨后的第二步驟(圖3b所示)期間將第二數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的該行中的一個或多個存儲單元，以使用兩步工藝將數(shù)據(jù)寫入至存儲器陣列102的整個行。應該理解，為了將數(shù)據(jù)寫入mtj器件，提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列102內的mtj器件。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，期待您的光臨！浙江電子元件物料回收平臺

可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復合單元，還可以是諸如主從觸發(fā)器或鎖存器的存儲單元。標準單元庫可以包括關于多個標準單元的信息。例如，標準單元庫可以包括標準單元的名稱和功能，以及標準單元的時序信息、功率信息和布圖信息。標準單元庫可以存儲在存儲裝置中，并且標準單元庫可以通過訪問存儲裝置來設置。基于輸入數(shù)據(jù)和標準單元庫執(zhí)行布局和布線(s30)，并且基于布局和布線的結果設置定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)(s40)。在一些示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是諸如通過將集成電路合成而生成的比特流或網表的數(shù)據(jù)時，輸出數(shù)據(jù)可以是比特流或網表。在其他示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)(例如，具有圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)ii(gdsii)格式的數(shù)據(jù))時，輸出數(shù)據(jù)的格式也可以是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)。通過圖13的方法設計和制造的集成電路可以包括半導體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照圖1至圖10所述，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數(shù)并且多個單元線路結構布置在方向上。圖14是示出根據(jù)示例實施例的集成電路的設計系統(tǒng)的框圖。參照圖14，設計系統(tǒng)1000可以包括存儲介質1100、設計模塊1400和處理器1500。四川進口晶振回收廠家上海海谷電子有限公司致力于提供回收，竭誠為您服務。

本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術：現(xiàn)代計算機系統(tǒng)產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產生的。為了合適地運行，這些計算機系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產生的熱量。技術實現(xiàn)要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對的一側上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。

本實用新型涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護環(huán)設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片的使用壽命。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術中集成電路芯片的散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片使用壽命的問題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待您的光臨！

公開的寫入操作可以在調節(jié)mtj器件(例如，圖2中的204至206)處于高電阻狀態(tài)來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。如圖3a的示意圖300所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列102的行301中的存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v1(例如，2v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，6v)施加至字線wl3，將第三非零偏置電壓v3(例如，8v)施加至位線bl1和bl3，并且將第四非零偏置電壓v4(例如，4v)施加至位線bl2來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v1(例如，2v)和第三非零偏置電壓v3(例如，8v)之間的差異使得電流i1流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的調節(jié)mtj器件。電流i1小于切換電流isw，使得存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的調節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i1的兩倍的電流流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件。電流i1的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件。第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因為非零偏置電壓v1(例如。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有需要可以聯(lián)系我司哦！貴州高價電子元器件回收價格

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并且也可以包括在部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個實施例和和布置的具體實例等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉90度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應的解釋。磁阻式隨機存取存儲器(mram)單元包括垂直布置在導電電極之間的磁隧道結(mtj)。mtj包括通過隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)，而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“1”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為第二位值(例如，邏輯“0”)。隨著集成芯片的功能增多。浙江電子元件物料回收平臺

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