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來源: 發(fā)布時間:2025-07-05

畫出它的波形圖,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,可控硅導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流??刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。閔行區(qū)推廣可控硅售價

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意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個參數(shù)值。雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,需定量掌握其主要參數(shù),對雙向可控硅進行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達到各參數(shù)的要求。 [1]閔行區(qū)推廣可控硅售價可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。

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無觸點開關(guān)可控硅一個關(guān)鍵用途在于做為無觸點開關(guān)。在自動化設(shè)備中,用無觸點開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點是無噪音,壽命長??煽毓?**陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。

可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。

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在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;松江區(qū)制造可控硅售價

額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。閔行區(qū)推廣可控硅售價

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 對負載小,或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅, 可在自由空間工作。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,為了減小熱阻,可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。閔行區(qū)推廣可控硅售價

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