MEMS制作工藝-微流控芯片：

微流控芯片技術(Microfluidics)是把生物、化學、醫(yī)學分析過程的樣品制備、反應、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上， 自動完成分析全過程。

微流控芯片（microfluidic chip）是當前微全分析系統（Miniaturized Total Analysis Systems）發(fā)展的熱點領域。微流控芯片分析以芯片為操作平臺, 同時以分析化學為基礎,以微機電加工技術為依托,以微管道網絡為結構特征,以生命科學為目前主要應用對象，是當前微全分析系統領域發(fā)展的重點。它的目標是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應、分離、檢測等集成在微芯片上,且可以多次使用。 MEMS的柔性電極是什么？新型MEMS微納米加工發(fā)展現狀

MEMS制作工藝-微流控芯片：

1.微流控芯片是微流控技術實現的主要平臺。其裝置特征主要是其容納流體的有效結構（通道、反應室和其它某些功能部件）至少在一個緯度上為微米級尺度。由于微米級的結構，流體在其中顯示和產生了與宏觀尺度不同的特殊性能。因此發(fā)展出獨特的分析產生的性能。

2.微流控芯片的特點及發(fā)展優(yōu)勢：微流控芯片具有液體流動可控、消耗試樣和試劑極少、分析速度成十倍上百倍地提高等特點,它可以在幾分鐘甚至更短的時間內進行上百個樣品的同時分析,并且可以在線實現樣品的預處理及分析全過程。

3.其產生的應用目的是實現微全分析系統的目標－芯片實驗室

4.目前工作發(fā)展的重點應用領域是生命科學領域

5.當前（2006）國際研究現狀：創(chuàng)新多集中于分離、檢測體系方面；對芯片上如何引入實際樣品分析的諸多問題，如樣品引入、換樣、前處理等有關研究還十分薄弱。它的發(fā)展依賴于多學科交叉的發(fā)展。 特殊MEMS微納米加工共同合作MEMS的芯片制造過程是怎么樣的？

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學反應，以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質變成揮發(fā)性的氣體，經抽氣系統抽離，然后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現的深度。干法刻蝕可以實現各向異性，垂直方向的刻蝕速率遠大于側向的。其原理如圖所示，生成CF基的聚合物以進行側壁掩護，以實現各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學反應性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電，將氣體解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出(各向異性)。對于化學反應性刻蝕則是產生化學活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待刻蝕物質的表面，并與待刻蝕物質反應產生揮發(fā)性的反應生成物(各向同性)，并被真空設備抽離反應腔

MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：

  太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規(guī)模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， 有哪些較為前沿的MEMS傳感器的供應廠家？

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：

  聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應將愉入的電信號轉變成聲信號，此聲信號沿基片表面?zhèn)鞑ィ?span>然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號轉變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。 MEMS的超材料介紹與講解。湖北MEMS微納米加工廠家電話

MEMS技術的主要分類有哪些？新型MEMS微納米加工發(fā)展現狀

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 新型MEMS微納米加工發(fā)展現狀