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每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒(méi)有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開(kāi)的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120，所述計(jì)算部件包括...

本發(fā)明涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)。而且，存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過(guò)介電阻擋層與固定層分隔開(kāi)的自由層。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置還包括連接在第...

與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過(guò)印刷電路板202的與連接側(cè)304相對(duì)的側(cè)延伸的頂表面302。在906處，將兩個(gè)印刷電路裝配件相對(duì)地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液...

圖中：1芯片本體、2連接機(jī)構(gòu)、21螺紋塊、22凹槽、23l形桿、24轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)、25螺母、3散熱機(jī)構(gòu)、31空心導(dǎo)熱塊、32連通管、33空心散熱塊、34第二連通管、35第二空心散熱塊、4錐形塊、5導(dǎo)管、6管蓋。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的...

傳感器|氣體傳感器|濕敏傳感器|位移傳感器|視覺(jué)、圖像傳感器|其他傳感器⑽電感器|磁珠|電流互感器|電壓互感器|電感線圈|固定電感器|可調(diào)電感器|線饒電感器|非線饒電感器|阻流電感器（阻流圈、扼流圈）|其他電感器⑾電聲器件|揚(yáng)聲器|傳聲器|拾音器|送話器|受話器|蜂鳴器⑿電聲配件|盆架|電聲喇叭|防塵蓋|音膜、振膜|其他電聲配件|T鐵|磁鋼|彈波|鼓紙|壓邊|電聲網(wǎng)罩⒀頻率元件|分頻器|振蕩器|濾波器|諧振器|調(diào)頻器|鑒頻器|其他頻率元件⒁開(kāi)關(guān)元件|可控硅|光耦|干簧管|其他開(kāi)關(guān)元件⒂光電與顯示器件|顯示管|顯象管|指示管|示波管|攝像管|投影管|光電管|發(fā)射器件|其他光電與顯示器件⒃磁性元器...

1947年12月23日圣誕節(jié)前夕，在美國(guó)新澤西州貝爾實(shí)驗(yàn)室里，3位科學(xué)家肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士正有條不紊地進(jìn)行著用半導(dǎo)體晶體把聲音信號(hào)放大的實(shí)驗(yàn)。他們驚奇地發(fā)現(xiàn)，器件中通過(guò)的一部分微弱電流，竟然可以控制另一部分大得多的電流，產(chǎn)生放大效應(yīng)。當(dāng)時(shí)人們還未意識(shí)到，這個(gè)器件，就是在科技史上具有劃時(shí)代意義的成果——晶體管。正是因?yàn)檫@份“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”，3位科學(xué)家共同榮獲1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。這項(xiàng)神奇的發(fā)明究竟是什么呢？晶體管被人們形象地稱為“三條腿的魔術(shù)師”，是一種三個(gè)支點(diǎn)的半導(dǎo)體固體電子元件。像金、銀、銅、鐵等金屬，它們導(dǎo)電性能好，叫做導(dǎo)體。木材、玻璃、陶瓷、云母等不易導(dǎo)電，叫做...

正式揭露了即將與ISSI整并的消息；除了合并ISSI，兆易創(chuàng)新臺(tái)面下也正積極籌畫建廠，兆易創(chuàng)新傳出將與中芯前執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)所主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫團(tuán)隊(duì)共同在合肥建立存儲(chǔ)廠。2016年12月1日北京君正晚間發(fā)布重組預(yù)案，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買北京豪威100%股權(quán)、視信源100%股權(quán)、思比科。交易對(duì)價(jià)總計(jì)133億元。2016年8月，跨界的A股上市公司方大化工發(fā)布重大資產(chǎn)重組方案，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買長(zhǎng)沙韶光、威科電子、成都創(chuàng)新達(dá)三家公司的100%股權(quán)。雖然沒(méi)有獲得通過(guò)，但是方大化工會(huì)繼續(xù)推動(dòng)并購(gòu)重組。11月30日，珠海艾派克科技股份有限公司（“艾派克”）發(fā)布《關(guān)于重大資產(chǎn)購(gòu)買完...

該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。圖6a至圖6b示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。圖7a至圖7b示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。圖8a至圖8b示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。圖9至圖12示出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元包括被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖13示出了形成...

由比較器800產(chǎn)生的經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)還可能是正確的。圖13是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的信號(hào)的回轉(zhuǎn)率的一調(diào)整方法90的流程圖。參考圖13，調(diào)整方法90包括操作92、94、96和98。調(diào)整方法90開(kāi)始于操作92，其中通過(guò)將一預(yù)設(shè)電壓與一實(shí)際電壓進(jìn)行比較來(lái)提供一不成熟分類。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作94，其中接收一參考分類，其中通過(guò)人工將該預(yù)設(shè)電壓與該實(shí)際電壓進(jìn)行比較來(lái)獲取該參考分類。調(diào)整方法90進(jìn)行到操作96，其中基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作98，其中基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生一預(yù)測(cè)以調(diào)整一回轉(zhuǎn)率。調(diào)整方法90是示例，并且不旨在將本...

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以...

多個(gè)mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開(kāi)的固定層110。在一些實(shí)施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實(shí)施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件204和206，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件106的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件106、204和206。例如，...

化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底402可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過(guò)沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個(gè)實(shí)施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖10...

每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。參照?qǐng)D10，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)saqp形成。如...

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解本發(fā)明的許多可能的應(yīng)用和變化。除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)的實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。應(yīng)當(dāng)理解，例如在常用詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本公開(kāi)的上下文中的含義一致的含義，并且不應(yīng)該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過(guò)于正式的意義。機(jī)器學(xué)習(xí)經(jīng)配置以各種設(shè)置以通過(guò)使用示例來(lái)執(zhí)行任務(wù)。例如，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可經(jīng)配置以執(zhí)行沒(méi)有任務(wù)特定編程的任務(wù)。也就是說(shuō)，可以從先前數(shù)據(jù)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以對(duì)來(lái)自當(dāng)前數(shù)據(jù)的信息進(jìn)行分類或推斷。例如，訓(xùn)練數(shù)據(jù)可經(jīng)配置以通過(guò)分析信號(hào)的電壓來(lái)識(shí)別從駕駛員輸出端的信號(hào)的回...

多個(gè)mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開(kāi)的固定層110。在一些實(shí)施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實(shí)施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個(gè)mtj器件106、204和206中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件204和206，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件106的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件106、204和206。例如，...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過(guò)設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當(dāng)芯片本體與集塵電路板安裝的時(shí)候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過(guò)螺母與螺紋塊連接，達(dá)到固定散熱機(jī)構(gòu)的目的，之后打開(kāi)管蓋，并通過(guò)導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時(shí)候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時(shí)空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過(guò)連通管和第二連接管進(jìn)入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以...

但這個(gè)發(fā)展速度也是非常驚人的。集成電路是一門高科技，它促進(jìn)了很多門學(xué)科的發(fā)展，包括自動(dòng)化、裝備生產(chǎn)、精密儀器、微細(xì)加工等產(chǎn)業(yè)。1美金的芯片所能帶動(dòng)的GDP相當(dāng)于100美金，而全世界一年的芯片產(chǎn)值所撬動(dòng)的GDP，相當(dāng)于中國(guó)和美國(guó)的GDP之和，而且，這個(gè)產(chǎn)業(yè)對(duì)我們國(guó)家的信息安全具有非常重要的作用。中國(guó)的芯片市場(chǎng)占了全世界的，是世界上大的芯片需求市場(chǎng)，但自給率卻不到10%。從2008年開(kāi)始，我國(guó)的集成電路進(jìn)口占據(jù)了進(jìn)口商品中大的一部分，甚至超過(guò)了石油和糧食。目前，我國(guó)集成電路生產(chǎn)技術(shù)還比較落后，面臨著巨大的挑戰(zhàn)。首先，為了降低成本，我們要盡量在單位面積上制造出更多的晶體管，縮小電路板面積。其次，努力...

實(shí)施例提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)施的可應(yīng)用的發(fā)明概念。所討論的具體實(shí)施例說(shuō)明制造和使用實(shí)施例的具體方式，并不限制本公開(kāi)的范圍。在各個(gè)視圖和說(shuō)明性實(shí)施例中，相同的附圖標(biāo)記經(jīng)配置以表示相同的元件。現(xiàn)在將詳細(xì)參考附圖中所示的示例性實(shí)施例。只要可能，在附圖和說(shuō)明書中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分。在附圖中，為了清楚和方便，可夸大形狀和厚度。該描述將特別針對(duì)形成根據(jù)本公開(kāi)的裝置的一部分或更直接地與其配合的元件。應(yīng)該理解，未具體示出或描述的元件可以采用各種形式。貫穿本說(shuō)明書對(duì)“一些實(shí)施例”或“實(shí)施例”的引用意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，貫穿本說(shuō)明書...

展訊入圍設(shè)計(jì)業(yè)10強(qiáng)，突破了14納米技術(shù)壁壘，還在積極向10納米發(fā)起沖擊。2016年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)10大事件1、集成電路產(chǎn)業(yè)大基金開(kāi)始布局設(shè)計(jì)業(yè)2016年，集成電路產(chǎn)業(yè)大基金與績(jī)優(yōu)團(tuán)隊(duì)型基金協(xié)同投資，適時(shí)參加相關(guān)國(guó)際、國(guó)內(nèi)并購(gòu)，開(kāi)展CPU、FPGA、EDA等通用芯片的布局。目前大基金覆蓋投資的集成電路企業(yè)有，國(guó)科微，中星微電子，艾派克，清華紫光，銳迪科，北斗星通，國(guó)微技術(shù)，盛科網(wǎng)絡(luò)等。當(dāng)然，上海和深圳市場(chǎng)化和國(guó)際化的企業(yè)，還需要更加智慧的去參與和投入，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)繁榮?？偨Y(jié)：2016年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)事件2、景嘉微，兆易創(chuàng)新，匯頂科技等企業(yè)登陸中國(guó)資本市場(chǎng)2016年3月，景嘉微登陸創(chuàng)業(yè)板；201...

存儲(chǔ)介質(zhì)1100(例如，存儲(chǔ)裝置)可以存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)sclb1110。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110可以從存儲(chǔ)介質(zhì)1100被提供給設(shè)計(jì)模塊1400。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110可以包括多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，并且標(biāo)準(zhǔn)單元可以是用于設(shè)計(jì)塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲(chǔ)介質(zhì)1100可以包括用于將命令和/或數(shù)據(jù)提供給計(jì)算機(jī)作為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的任何計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。例如，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、只讀存儲(chǔ)器(rom)等的易失性存儲(chǔ)器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r(jià)am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以入到計(jì)算機(jī)中，可以被集...

每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。參照?qǐng)D10，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)saqp形成。如...

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。在一些實(shí)施例中，第三柵極節(jié)距pg23是距下一個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的距離。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達(dá)式3表示。表達(dá)式3pg21＝w...

信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率是可控制的。初，src電路104向驅(qū)動(dòng)器電路102提供一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率，并且驅(qū)動(dòng)器電路102驅(qū)動(dòng)信號(hào)dout，其中信號(hào)dout具有該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率可以是特定值，或者可以是一范圍中的數(shù)值。通常，一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率被設(shè)計(jì)為滿足一規(guī)范的要求。在信號(hào)dout的電氣特性不理想的情況下，使用者在一使用者應(yīng)用端12上測(cè)試ic元件10。使用者應(yīng)用端12的一示波器120測(cè)量信號(hào)dout的一電壓，并且示波器120，基于測(cè)量結(jié)果，在使用者應(yīng)用端12的一使用者界面124上顯示一電壓波形122的圖表。使用者基于例如使用者界面124的顯示器上所示的電壓來(lái)查看和計(jì)算信號(hào)dout的一實(shí)際回轉(zhuǎn)率。接下來(lái)，使...

減法器604經(jīng)配置以通過(guò)從第二電壓v2減去電壓v1來(lái)提供實(shí)際電壓vout。因此，實(shí)際電壓vout與電壓v1和第二電壓v2相關(guān)聯(lián)。圖11是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的圖9的分類器電路80的電路圖。參考圖11，分類器電路80包括一比較器800、一減法器電路802、一分壓器804、一加法器電路806、一反相器810、一暫存器812、一乘法器814和一暫存器816。在圖11中，符號(hào)(i)表示當(dāng)前的特性；符號(hào)(i+1)表示下一次的特性。比較器800具有耦合到實(shí)際電壓vout(i)的一輸入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的電壓的另一輸入端，以及耦合到一節(jié)點(diǎn)n0的一輸出端，其中在式子中的w(i)表示神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)...

夾層ito涂層作為工作面，四個(gè)角上引出四個(gè)電極，內(nèi)層ito為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時(shí)，由于人體電場(chǎng)，用戶和觸摸屏表面形成以一個(gè)耦合電容，對(duì)于高頻電流來(lái)說(shuō)，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點(diǎn)吸走一個(gè)很小的電流。這個(gè)電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過(guò)對(duì)這四個(gè)電流比例的精確計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。所述高頻讀卡模塊通過(guò)rfid卡刷卡進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)。作為一種實(shí)施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓...

所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開(kāi)口朝上的環(huán)形槽，所述開(kāi)口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開(kāi)口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開(kāi)口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)...

所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多條金屬線形成在柵極層上方的導(dǎo)電層中，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例，一種制造集成電路的方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根...

支撐桿11共設(shè)置有兩組，兩組支撐桿11的兩端分別焊接在減震螺栓10的下方，支撐桿11的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有滑槽，連桿13通過(guò)緊固螺栓12與支撐桿11構(gòu)成滑動(dòng)結(jié)構(gòu)，緊固螺栓12貫穿滑槽，當(dāng)移動(dòng)緊固螺栓12時(shí)，套接在緊固螺栓12上的連桿13隨著緊固螺栓12移動(dòng)，可以根據(jù)信號(hào)線的接入位置調(diào)節(jié)連桿13到合適的位置，防止信號(hào)線過(guò)長(zhǎng)，繞接在顯示驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，影響本裝置正常工作。連桿13的上方安裝有線夾14，線夾14共設(shè)置有三組，且三組線夾14通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接在連桿13的上方，線夾14通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)軸與連桿13構(gòu)成轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)整線夾14底部螺絲的松緊，使得線夾14繞連桿13的上端轉(zhuǎn)動(dòng)，達(dá)到線夾14放松或者收緊的...

每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。參照?qǐng)D10，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)saqp形成。如...

調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二...