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正式揭露了即將與ISSI整并的消息；除了合并ISSI，兆易創(chuàng)新臺面下也正積極籌畫建廠，兆易創(chuàng)新傳出將與中芯前執(zhí)行長王寧國所主導(dǎo)的合肥長鑫團隊共同在合肥建立存儲廠。2016年12月1日北京君正晚間發(fā)布重組預(yù)案，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買北京豪威100%股權(quán)、視信源100%股權(quán)、思比科。交易對價總計133億元。2016年8月，跨界的A股上市公司方大化工發(fā)布重大資產(chǎn)重組方案，公司擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買長沙韶光、威科電子、成都創(chuàng)新達三家公司的100%股權(quán)。雖然沒有獲得通過，但是方大化工會繼續(xù)推動并購重組。11月30日，珠海艾派克科技股份有限公司（“艾派克”）發(fā)布《關(guān)于重大資產(chǎn)購買完...

因應(yīng)于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。在進入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調(diào)整信號dout的回轉(zhuǎn)率。圖12的示意圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓(xùn)練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設(shè)一學(xué)習(xí)速率η是；一預(yù)設(shè)電壓vt為；一實際電壓vout為，小于預(yù)設(shè)電壓vt。在理想狀況下，比較器800應(yīng)該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)或低噪聲邊界的不良結(jié)果所引起的。使用者人工識別這種錯誤分類...

達到固定散熱機構(gòu)3的目的，之后打開管蓋6，并通過導(dǎo)管5向空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊31吸收，同時空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管32和第二連接管34進入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊31中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉...

與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側(cè)304相對的側(cè)延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲液...

可以通過執(zhí)行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行...

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個有源區(qū)ac在柵極絕緣層118上延伸，同時覆蓋每個有源區(qū)ac的上表面和兩個側(cè)壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側(cè)壁、柵極線pc的側(cè)壁和掩模122的側(cè)壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件c...

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目...

6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結(jié)構(gòu)包括單元線路結(jié)構(gòu)和第二單元線路結(jié)構(gòu)，第二單元線路結(jié)構(gòu)在方向上與單元線路結(jié)構(gòu)相鄰，第二單元線路結(jié)構(gòu)的形貌與單元線路結(jié)構(gòu)的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結(jié)...

所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。附圖說明通過以下結(jié)合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本公開的示例實施例。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。圖2是根據(jù)示例實施例的集成電路的截面圖。圖3是根據(jù)示例實施例的集成電路的圖。圖4a至圖4i是用于描述根據(jù)示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。圖5至圖10是根據(jù)示例實施例的應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實施例的示圖。圖...

雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置描述了圖2至圖8b中示出的操作和/或裝置，但是應(yīng)該理解，公開的存儲單元不限于這樣的實施例。而且，在可選實施例中，圖2至圖8b的操作和/或裝置可以實施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如，包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖9至圖12示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的截面圖900至1200，該存儲器電路包括存儲單元(例如，mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖9至圖12，但是應(yīng)該理解，圖9至圖12中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨存在。如...

本實用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：現(xiàn)有的顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)在日常使用的過程中，基于內(nèi)部大量的電子元件，會產(chǎn)生很高的溫度，若不及時進行散熱，熱量會影響到設(shè)備的正常工作，甚至引起設(shè)備燒毀，另外，現(xiàn)有的此類設(shè)備在排線結(jié)構(gòu)上存在著缺陷，線路布局比較混亂，并且現(xiàn)有的顯示驅(qū)動集成電路采用直接將信號端焊接在集成電路板上的方式，不利于對線路進行檢修和更換，當(dāng)信號線受外力拉扯時，存在著焊接點被拉斷的風(fēng)險，因此，為解決以上問題，提出一種具有布線裝置且散熱優(yōu)良的顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)，以解決上述背景技術(shù)提出的目前的顯示驅(qū)...

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層114的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、第二附加自由層等)以改進mtj的性能。圖4b示出了對應(yīng)于圖2的存儲器陣列102的集成芯片414的一些可選實施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲單元202a,1。...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若...

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層114的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、第二附加自由層等)以改進mtj的性能。圖4b示出了對應(yīng)于圖2的存儲器陣列102的集成芯片414的一些可選實施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲單元202a,1。...

4.數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元、器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成（ＳＳＩ）電路、中規(guī)模集成ＭＳＩ電路、大規(guī)模集成（ＬＳＩ）電路、超大規(guī)模集成ＶＬＳＩ電路和特大規(guī)模集成（ＵＬＳＩ）電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在１０個以內(nèi)，或元器件數(shù)不超過１００個；中規(guī)模集成電路包含的門電路在１０～１００個之間，或元器件數(shù)在１００～１０００個之間；大規(guī)模集成電路包含的門電路在１００個以上，或元器件數(shù)在１０～１０個之間；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在１萬個以上，或元器件數(shù)在１０～１０之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在１...

每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如...

化學(xué)機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖10...

信號dout的回轉(zhuǎn)率是可控制的。初，src電路104向驅(qū)動器電路102提供一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率，并且驅(qū)動器電路102驅(qū)動信號dout，其中信號dout具有該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率可以是特定值，或者可以是一范圍中的數(shù)值。通常，一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率被設(shè)計為滿足一規(guī)范的要求。在信號dout的電氣特性不理想的情況下，使用者在一使用者應(yīng)用端12上測試ic元件10。使用者應(yīng)用端12的一示波器120測量信號dout的一電壓，并且示波器120，基于測量結(jié)果，在使用者應(yīng)用端12的一使用者界面124上顯示一電壓波形122的圖表。使用者基于例如使用者界面124的顯示器上所示的電壓來查看和計算信號dout的一實際回轉(zhuǎn)率。接下來，使...

圖中：1芯片本體、2連接機構(gòu)、21螺紋塊、22凹槽、23l形桿、24轉(zhuǎn)動環(huán)、25螺母、3散熱機構(gòu)、31空心導(dǎo)熱塊、32連通管、33空心散熱塊、34第二連通管、35第二空心散熱塊、4錐形塊、5導(dǎo)管、6管蓋。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的...

從而使下文的本公開詳細描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文公開的概念與特定實施例作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或工藝而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。附圖說明參閱實施方式與權(quán)利要求合并考量附圖時，可得以更了解本公開的公開內(nèi)容，附圖中相同的元件符號是指相同的元件。圖1的示意圖說明調(diào)整信號的回轉(zhuǎn)率的比較方法。圖2的流程圖說明參考圖1所示的比較方法的迭代流程。圖3是根據(jù)本公開的一些實施例的具有一機器學(xué)習(xí)電路的一電路的示意圖。...

基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)獲取經(jīng)加權(quán)值36。接下來，進入推理/分類階段314。在推理/分類階段314中，mlc42基于經(jīng)加權(quán)值36對驗證數(shù)據(jù)進行分類。在驗證數(shù)據(jù)的分類之后，使用者將這種分類與參考分類進行比較，從而獲得一校正率。如果這樣的校正率滿足在操作504中在規(guī)范中獲得的所需校正率，則推理/分類階段314結(jié)束，并且進入預(yù)測階段316。如果校正率不滿足所需的校正率，則重復(fù)上述過程。圖8的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的預(yù)測階段316。參照圖8，不執(zhí)行操作502的評估。mlc42控制src電路104而不需要人力。因此，使用mlc42來調(diào)整回轉(zhuǎn)率是相對方便的。圖9是根據(jù)本公開的一些實...

6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結(jié)構(gòu)包括單元線路結(jié)構(gòu)和第二單元線路結(jié)構(gòu)，第二單元線路結(jié)構(gòu)在方向上與單元線路結(jié)構(gòu)相鄰，第二單元線路結(jié)構(gòu)的形貌與單元線路結(jié)構(gòu)的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結(jié)...

本發(fā)明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實現(xiàn)變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應(yīng)處設(shè)置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應(yīng)所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環(huán)；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環(huán)，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發(fā)明能夠帶來以下優(yōu)點：實現(xiàn)了更大功率，更高效率的IC集成電源；以少的通道實現(xiàn)了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。在此指明，以上敘述有助于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明創(chuàng)造...

以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定一信號的實際回轉(zhuǎn)率，并且該預(yù)設(shè)電壓的微分決定該信號的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。在一些實施例中，該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一經(jīng)加權(quán)值。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路以及一第二取樣保持電路。該取樣保持電路經(jīng)配置以取樣一信號的一電壓。該第二取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號的一第二電壓，其中該實際電壓與該電壓和該第二電壓相關(guān)。在一些實施例中，該測量電路還包括一減法器電路。該減法器電路經(jīng)配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該不成熟分類與該參考分類之間的一區(qū)別與一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一權(quán)重相關(guān)聯(lián)，...

同樣的附圖標記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜?fù)的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據(jù)示例實施例的集成電路的結(jié)構(gòu)。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照圖1，在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是...

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層114的磁沖擊。在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如，在一些實施例中，mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中，mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、第二附加自由層等)以改進mtj的性能。圖4b示出了對應(yīng)于圖2的存儲器陣列102的集成芯片414的一些可選實施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲單元202a,1。...

包括：在襯底上方形成互連層；在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件，所述一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成第二互連層，其中，所述互連層和所述第二互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇...

圖中：1芯片本體、2連接機構(gòu)、21螺紋塊、22凹槽、23l形桿、24轉(zhuǎn)動環(huán)、25螺母、3散熱機構(gòu)、31空心導(dǎo)熱塊、32連通管、33空心散熱塊、34第二連通管、35第二空心散熱塊、4錐形塊、5導(dǎo)管、6管蓋。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的...

大時代下，要努力告別情懷了！2016年，中國集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)的邏輯思維圖是，我有錢→買買買→買不到→自力更生！細細品味，這個思維圖可能是2016年中國集成電路設(shè)計適合的總結(jié)陳詞。我有錢2016年，中國集成電路設(shè)計業(yè)迎來了好的資本時代！據(jù)不完全統(tǒng)計，大基金，地方和各路資本方投入設(shè)計業(yè)超過500億元。從中央到地方，從企業(yè)到VC，涌現(xiàn)出洶涌澎湃的發(fā)展態(tài)勢。買買買2016年，中國集成電路企業(yè)和資本的并購力度和熱情超過了以往任何時代，OV，ISSI，NXP射頻和標準器件部門，視信源，思比科等，這些國際化和本土的佼佼者企業(yè)，都被中國人收入了囊中。當(dāng)然，還有很多沒有成功的標的，如果不是美國人的阻攔，那將是一...