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晶體中e3的電子結(jié)構(gòu)、能級結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性,給出了鑭系元素的電子殼層結(jié)構(gòu)和離子半徑。從表中可以看出,Ce元素的電子結(jié)構(gòu)為[Xe]4f15d16s2,所以Ce3的電子結(jié)構(gòu)以[Xe]4f1為特征,Ce3的內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)為惰性原子結(jié)構(gòu),0外層只有一個電子結(jié)構(gòu),所以Ce3...
一般來說,閃爍體可以分為有機閃爍體(如萘和蒽)和無機閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年,Baryshev...
釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料,例如,Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國防醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來,隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高...
YbYAG晶體的熔點達1970℃,為一致熔融化合物,通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長:首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化,調(diào)整爐內(nèi)溫度場,使熔體上部處于過冷狀態(tài)。然后在籽晶桿上安放所需籽晶,并讓籽晶接觸熔體表面。當(dāng)籽晶表面稍熔后,慢慢向上提拉...
無機閃爍晶體的性能表征?電子元器件是構(gòu)成電子信息系統(tǒng)的基本功能單元,是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統(tǒng)稱,同時還涵蓋與上述電子元器件結(jié)構(gòu)與性能密切相關(guān)的封裝外殼、電子功能材料等?;仡欉^去一年國內(nèi)激光晶體,閃爍晶體,光學(xué)晶體,光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)運行情...
不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當(dāng)強度為J0的入射輻射穿過厚度為為x,的材料時,出射輻射的強度可以近似表示為:J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數(shù)。就伽馬射線而言,它們主要與固體中的電子相互作用。此時主要取決于固體中的電子密度ne和一個電子...
在不斷優(yōu)化設(shè)備激光加熱系統(tǒng),調(diào)整生長參數(shù)的基礎(chǔ)上,成功制備出直徑約0.2 mm長710 mm YbYAG單晶光纖,LHPG單晶光纖生長爐設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長徑比>3000,且直徑波動在±5%以內(nèi),是迄今為止在國內(nèi)外見諸報道的同類單晶光纖中...
在激光制導(dǎo)等領(lǐng)域,半導(dǎo)體常常與稀土共同出現(xiàn),甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測距機,這是現(xiàn)代先進坦克的標(biāo)配裝備,從美國的M1到英國的“挑戰(zhàn)者”和德國的“豹2”,無一例外,它的測量距離達到20公里,精度比普通的光學(xué)測距儀高很多。稀土...
一般來說,作為激光工作物質(zhì)的基體材料應(yīng)具有以下特征:(1)良好的光學(xué)性能?;w材料應(yīng)具有寬的傳輸線和高的透光率,以滿足激光輸出的需要。(2) 良好的力學(xué)和熱力學(xué)性能?;w應(yīng)具有高的機械強度和導(dǎo)熱性,小的熱膨脹系數(shù)和穩(wěn)定的熱光性能。由于激光會產(chǎn)生大量的熱能和一系...
2000年,Budni P A等人用120W光纖耦合二極管泵浦3% TM3360 ylF,獲得36W激光輸出[54]。然后Dergachev A報道了3.5%的Tm:YLF 1905-2067nm寬調(diào)諧CW激光輸出,多縱模輸出功率大于18W,斜率效率3...
Ce: YAP閃爍晶體的性能研究,摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體,在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,在實際應(yīng)用中,我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題,直接影響晶體的發(fā)光效率。為了提高Ce: YAP晶...
與其它常用閃爍晶體相比,Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征:光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性,在25~200oC 區(qū)間內(nèi),晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比,Ce:YAP的這種對溫度依賴小的...
Ce: YAP晶體的退火,剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大,在加工過程中容易開裂,提拉法生長的晶體明顯,同時由于鈰離子的價態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心,因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍...
不同摻雜濃度的YbYAG晶體,通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜,衰減時間,光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3,摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度,光輸出隨Yb,摻雜濃度升高而降低...
發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?dǎo)致探測元件閃爍性能的差異,在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明,Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的...
2002年,Batay L E等人報道了二極管泵浦的Tm:KYW晶體的連續(xù)可調(diào)激光輸出,較大功率為1.8W[51]。同年,他們在Tm:KYW晶體中實現(xiàn)了被動調(diào)Q激光輸出,比較大脈沖能量約為4J,**窄脈沖寬度為55ns[48]。2004年,Petrov等人...
通過測量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發(fā)現(xiàn),即使在低溫下,YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發(fā)射帶,這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少,易于與周圍晶格產(chǎn)生較強的相互作用,并且YAG基質(zhì)有非常豐富的聲子振動峰,當(dāng)兩個Strak能級的間隔與晶...
YbYAG晶體主要特點:簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷??筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應(yīng)用:材料加工,微加工,焊接,切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性:吸收峰波長9...
Tm:YAP激光晶體,YAP晶體屬于正交畸變鈣鈦礦結(jié)構(gòu),是負雙軸晶體。其結(jié)構(gòu)參數(shù)和基本理化性質(zhì)。Tm:YAP具有與純YAP晶體相似的結(jié)構(gòu)。與Tm:YAP相比,Tm:YAP具有類似于Tm:YAP的優(yōu)異熱力學(xué)性能,并且由于其雙光軸,可以Tm:YAP激光器工作過程中...
Tm:YAP晶體主要應(yīng)用在哪個領(lǐng)域?Tm:YAP晶體的光譜性能1.1.1 Tm:YAP晶體的吸收譜實驗中我們測試了常溫下Tm:YAP晶體的不同濃度(1at%,3at%,4at%,5at%)不同方向非偏振吸收譜及4at%濃度下的不同方向偏振吸收譜,并且對4at%...
室溫下YbYAG的上轉(zhuǎn)換熒光光譜,此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發(fā)光和Yb3+離子到稀土雜質(zhì)離子的能量轉(zhuǎn)移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光,發(fā)光峰對應(yīng)于電荷遷移態(tài)到Y(jié)b3+離子的基態(tài),激光態(tài)間的躍遷。研究了Cr,YbYAG晶體的熒光光譜,討論了Cr4+激...
Ce: YAP晶體的退火,剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大,在加工過程中容易開裂,提拉法生長的晶體明顯,同時由于鈰離子的價態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心,因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍...
兩項一般性意見如下:如上所述,快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學(xué)中常見的表達。但是,能量實際上并沒有損失,而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的:點缺陷的形成、聲子,的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...
大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)的設(shè)計,采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用.在考慮模式競爭的情況下,對晶體波導(dǎo)的單橫模條件進行計算,得出在芯層材料為原子數(shù)分數(shù)為 1%的YbYAG,內(nèi)包層材料為原子數(shù)分數(shù)為0.5%的ErYAG中,芯層和內(nèi)...
室溫下YbYAG的上轉(zhuǎn)換熒光光譜,此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發(fā)光和Yb3+離子到稀土雜質(zhì)離子的能量轉(zhuǎn)移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光,發(fā)光峰對應(yīng)于電荷遷移態(tài)到Y(jié)b3+離子的基態(tài),激光態(tài)間的躍遷。研究了Cr,YbYAG晶體的熒光光譜,討論了Cr4+激...
工業(yè)的“血液”叫石油,工業(yè)的“糧食”是芯片,而工業(yè)的“維生素”,名曰稀土。在全球的工業(yè)體系中,中東控制了“血液”,美國控制了“糧食”,而中國則占據(jù)了“維生素”大部分市場。稀土金屬是位于元素周期表ⅢB族中鈧、釔、鑭系17種元素的總稱,頭一個稀土元素發(fā)現(xiàn)距今已有2...
由于過渡金屬離子d層電子能級較多,且易受晶場影響,在YAP晶體中可能存在較多吸收帶。GDMS分析結(jié)果也說明我們生長的Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm,對晶體發(fā)光影響可以忽略。YAP會出現(xiàn)著色現(xiàn)象嗎?上式中X 為傳感器受到的重量,重量間隔為1...
基于NdYAG晶體光纖的單頻脈沖激光放大器,在重點研發(fā)計劃項目的支持下,利用YbYAG晶體光纖和晶體細棒實現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出,預(yù)計近期將實現(xiàn)大于100W的超快激光輸出。希望能將YbYAG晶體光纖超快激光的平均輸出功率提升至500W,在該功...
激光二極管抽運10at-%YbYAG晶體獲得高效連續(xù)激光輸出,用激光二極管作為抽運源,在室溫下獲得了YbYAG晶體的連續(xù)激光輸出,抽運的閾值功率較低為2.2W,當(dāng)入射到晶體上的抽運功率為18W時,YbYAG晶體微片獲得了較大連續(xù)激光輸出功率為5.2 W,斜率效...
YbYAG晶體生長裝置有哪些,你知道嗎?YbYAG晶體的生長裝置:氣氛控制系統(tǒng):YAG晶體生長時,通常充入高純度氮氣或氬氣等惰性氣體,用來保護銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器:后熱器可用高熔點氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部,生長的晶體逐漸進入后熱...