主要應(yīng)用場景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護層,覆蓋非焊盤區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應(yīng)用。
微機電系統(tǒng)(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達100μm以上,耐SF?等強腐蝕性氣體,用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預(yù)處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
感光膠的工藝和應(yīng)用。青海水油光刻膠感光膠
吉田半導(dǎo)體柯圖泰全系列感光膠:進口品牌品質(zhì),本地化服務(wù)支持
柯圖泰全系列感光膠依托進口技術(shù),提供高性價比的絲網(wǎng)印刷解決方案。
吉田半導(dǎo)體代理的柯圖泰全系列感光膠(如 PLUS 6000、Autosol 2000),源自美國先進配方,分辨率達 120 線 / 英寸,適用于玻璃、陶瓷等多種基材。產(chǎn)品通過 SGS 認證,符合電子行業(yè)有害物質(zhì)限制要求,其高感光度與耐摩擦性,確保絲網(wǎng)印刷的清晰度與耐久性。公司提供技術(shù)參數(shù)匹配、制版工藝指導(dǎo)等本地化服務(wù),幫助客戶優(yōu)化生產(chǎn)流程,降低材料損耗。
河北低溫光刻膠國產(chǎn)廠商吉田半導(dǎo)體光刻膠,45nm 制程驗證,國產(chǎn)替代方案!
產(chǎn)品優(yōu)勢:多元化布局與專業(yè)化延伸
全品類覆蓋
吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學(xué)器件等領(lǐng)域,替代傳統(tǒng)光刻工藝。
專業(yè)化延伸
公司布局半導(dǎo)體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發(fā),目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應(yīng)鏈。
質(zhì)量與生產(chǎn)優(yōu)勢:嚴格品控與自動化生產(chǎn)
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質(zhì)量材料,確保產(chǎn)品批次穩(wěn)定性。
質(zhì)量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動化生產(chǎn)能力
擁有行業(yè)前列的全自動化生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。
依托自主研發(fā)與國產(chǎn)供應(yīng)鏈,吉田半導(dǎo)體 LCD 光刻膠市占率達 15%,躋身國內(nèi)前段企業(yè)。吉田半導(dǎo)體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產(chǎn)樹脂與單體,實現(xiàn) 100% 國產(chǎn)化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優(yōu)于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內(nèi)多家大型企業(yè)的深度合作,產(chǎn)品覆蓋智能手機、電視等顯示終端,年供貨量超 200 噸。公司建立國產(chǎn)原材料溯源體系,確保每批次產(chǎn)品穩(wěn)定性,推動 LCD 面板材料國產(chǎn)化進程。
光刻膠技術(shù)突破加速,對芯片制造行業(yè)有哪些影響?
技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求:
? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計改善。
缺陷控制:
? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。
國產(chǎn)化突破:
? 國內(nèi)企業(yè)(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能:
? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導(dǎo)體制造能耗)。
典型產(chǎn)品示例
? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。
? DUV正性膠:信越化學(xué)的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠(28nm節(jié)點)。
? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻膠是推動半導(dǎo)體微縮的主要材料,其技術(shù)進步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
吉田質(zhì)量管控與認證壁壘。中山厚膜光刻膠國產(chǎn)廠家
松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載,提供全系列半導(dǎo)體材料解決方案。青海水油光刻膠感光膠
技術(shù)驗證周期長
半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年,需經(jīng)歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(批量驗證)等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,預(yù)計2025年才能進入穩(wěn)定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進口,如KrF光刻膠樹脂的單體國產(chǎn)化率不足10%。國內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。
未來技術(shù)路線
? 金屬氧化物基光刻膠:氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性,清華大學(xué)團隊已實現(xiàn)5nm線寬的原型驗證。
? 電子束光刻膠:中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠,分辨率達1nm,適用于量子芯片制造。
? AI驅(qū)動材料設(shè)計:華為與中科院合作,利用機器學(xué)習優(yōu)化光刻膠配方,研發(fā)周期縮短50%。
青海水油光刻膠感光膠